通用芯片一般用于LED显示屏的低端产品,如户内的单、双色屏等。的通用芯片是74HC595,具有8位锁存、串一并移位寄存器和三态输出功能。每路可输出35 mA的非恒流的电流。
输出电流:目前主流的恒流源LED驱动芯片输出电流多为每通道90 mA左右。每通道同时输出恒定电流的值对显示屏更有意义,因为在白平衡状态下,要求每通道都同时输出恒流电流。
恒流输出通道数:恒流源输出通道有8位和16位两种规格,led驱动器ic,现在16位占主流,其主要优势在于减少了芯片尺寸,便于LED驱动板(PCB)布线,特别是对于点间距较小的LED驱动板更有利。的电流输出:一种是同一个芯片通道间电流误差值;另一种是不同芯片间输出电流误差值。
精度的电流输出是个很关键的参数,对LED显示屏的显示均匀性影响很大。误差越大,显示均匀性越差,很难使屏体达到白平衡。目前主流恒流源芯片的位间电流误差( bit to bit )一般在±3%以内,(chip to chip)片间电流误差在±6%以内。数据移位时钟:其决定了显示数据的传输速度,是影响显示屏的更新速率的关键指标。作为大尺寸显示器件,显示刷新率应该在85Hz以上,才能保证稳定的画面(无扫描闪烁感)。较高的数据移位时钟是e5a48de588b6e799bee5baa6e79fa5e9819331333365643636显示屏获取高刷新率画面的基础。目前主流恒流源驱动芯片移位时钟频率一般都在15-25 MHz以上。
3、占空比
就象上面所说的“性能原则”“只要可能,要求应由性能特性来表达,而不用设计和描述特性来表达,这种方法给技术发展留有余地”。我们认为,“占空比”纯属一个设计技术的要求,不应该做为LED显示屏产品标准的一项性能指标;大家很明白,有哪个用户会在意显示屏的驱动占空比,他们在乎的是显示屏的效果,而不是我们的技术实现;我们何必自己制造这种技术壁垒,限制行业的技术发展呢?
4、刷新频率
从《标准》的测量方法来看,似乎忽略了用户真正关心的问题,它也没有很好考虑到各个厂家所用的驱动IC、驱动电路和方式不一,造成测试的困难。譬如深圳体育场的全彩屏招标,led驱动控制ic,在*的样品测试中,这个指标的测试就带来许多问题。“刷新频率”一帧画面显示所需时间的倒数,把显示屏当做一个发光光源,那就是光源的闪烁频率。我们可以用类似“光感频率计”的仪器直接测试显示屏的光源闪烁频率,盐田区led驱动ic,来反映这个指标。我们做过这方面的测试利用示波器测量任一种颜色的LED驱动电流波形来确定“刷新频率”,在白场下测得200Hz;在3级灰度等低灰度级下,所测频率高达十几kHz,而用PR-650光谱仪测量;无论在白场,还是在200、100、50级等灰度等级下,所测光源闪烁频率均为200Hz。
以上几点只是针对几个LED显示屏的特性做一个简单的说明,还有许多招中遇到的“工作寿命”、“平均无故障时间”等等,没有一种试验方法能在较短时间内证实LED显示屏是否符合稳定性、可靠性或寿命等要求;不应规定这些要求。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双较型晶体管,三位led驱动ic,是由BJT(双较型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
输出特性与转移特性:
IGBT的伏安特性是指以栅较电压VGE为参变量时,集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似,也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅较电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同,当栅较电压VGE小于开启电压VGE(th)时,IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内,IC与VGE呈线性关系。
IGBT与MOSFET的对比:
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个较分别是源较(S)、漏较(D)和栅较(G)。
主要优点:热稳定性好、安全工作区大。
缺点:击穿电压低,工作电流小。