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    深圳市瑞泰威科技有限公司

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  • 公司认证: 营业执照已认证
  • 企业性质:私营企业
    成立时间:
  • 公司地址: 广东省 深圳市 南山区 深圳市南山区桃源街道峰景社区龙珠大道040号梅州大厦1511
  • 姓名: 范清月
  • 认证: 手机未认证 身份证未认证 微信未绑定

    供应分类

    led驱动控制ic-瑞泰威科技(推荐商家)

  • 所属行业:电子 电子有源器件 **集成电路
  • 发布日期:2020-05-15
  • 阅读量:238
  • 价格:面议
  • 产品规格:不限
  • 产品数量:不限
  • 包装说明:按订单
  • 发货地址:广东深圳南山区  
  • 关键词:三位led驱动ic,48通道led驱动ic,led驱动电源常用的ic,led驱动器ic,led驱动控制ic

    led驱动控制ic-瑞泰威科技(推荐商家)详细内容






    直流电机驱动芯片的选择?

    通用芯片一般用于LED显示屏的低端产品,如户内的单、双色屏等。的通用芯片是74HC595,具有8位锁存、串一并移位寄存器和三态输出功能。每路可输出35 mA的非恒流的电流。

    输出电流:目前主流的恒流源LED驱动芯片输出电流多为每通道90 mA左右。每通道同时输出恒定电流的值对显示屏更有意义,因为在白平衡状态下,要求每通道都同时输出恒流电流。

    恒流输出通道数:恒流源输出通道有8位和16位两种规格,led驱动器ic,现在16位占主流,其主要优势在于减少了芯片尺寸,便于LED驱动板(PCB)布线,特别是对于点间距较小的LED驱动板更有利。的电流输出:一种是同一个芯片通道间电流误差值;另一种是不同芯片间输出电流误差值。




    精度的电流输出是个很关键的参数,对LED显示屏的显示均匀性影响很大。误差越大,显示均匀性越差,很难使屏体达到白平衡。目前主流恒流源芯片的位间电流误差( bit to bit )一般在±3%以内,(chip to chip)片间电流误差在±6%以内。数据移位时钟:其决定了显示数据的传输速度,是影响显示屏的更新速率的关键指标。作为大尺寸显示器件,显示刷新率应该在85Hz以上,才能保证稳定的画面(无扫描闪烁感)。较高的数据移位时钟是e5a48de588b6e799bee5baa6e79fa5e9819331333365643636显示屏获取高刷新率画面的基础。目前主流恒流源驱动芯片移位时钟频率一般都在15-25 MHz以上。


    led显示屏和led屏驱动芯片(二)

    3、占空比

    就象上面所说的“性能原则”“只要可能,要求应由性能特性来表达,而不用设计和描述特性来表达,这种方法给技术发展留有余地”。我们认为,“占空比”纯属一个设计技术的要求,不应该做为LED显示屏产品标准的一项性能指标;大家很明白,有哪个用户会在意显示屏的驱动占空比,他们在乎的是显示屏的效果,而不是我们的技术实现;我们何必自己制造这种技术壁垒,限制行业的技术发展呢? 




    4、刷新频率

    从《标准》的测量方法来看,似乎忽略了用户真正关心的问题,它也没有很好考虑到各个厂家所用的驱动IC、驱动电路和方式不一,造成测试的困难。譬如深圳体育场的全彩屏招标,led驱动控制ic,在*的样品测试中,这个指标的测试就带来许多问题。“刷新频率”一帧画面显示所需时间的倒数,把显示屏当做一个发光光源,那就是光源的闪烁频率。我们可以用类似“光感频率计”的仪器直接测试显示屏的光源闪烁频率,盐田区led驱动ic,来反映这个指标。我们做过这方面的测试利用示波器测量任一种颜色的LED驱动电流波形来确定“刷新频率”,在白场下测得200Hz;在3级灰度等低灰度级下,所测频率高达十几kHz,而用PR-650光谱仪测量;无论在白场,还是在200、100、50级等灰度等级下,所测光源闪烁频率均为200Hz。

    以上几点只是针对几个LED显示屏的特性做一个简单的说明,还有许多招中遇到的“工作寿命”、“平均无故障时间”等等,没有一种试验方法能在较短时间内证实LED显示屏是否符合稳定性、可靠性或寿命等要求;不应规定这些要求。


    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双较型晶体管,三位led驱动ic,是由BJT(双较型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。



    输出特性与转移特性:

    IGBT的伏安特性是指以栅较电压VGE为参变量时,集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似,也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅较电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同,当栅较电压VGE小于开启电压VGE(th)时,IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内,IC与VGE呈线性关系。

    IGBT与MOSFET的对比:

    MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个较分别是源较(S)、漏较(D)和栅较(G)。

    主要优点:热稳定性好、安全工作区大。

    缺点:击穿电压低,工作电流小。



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    欢迎来到深圳市瑞泰威科技有限公司网站, 具体地址是广东省深圳市南山区深圳市南山区桃源街道峰景社区龙珠大道040号梅州大厦1511,联系人是范清月。 主要经营各类驱动IC,存储IC,传感器IC,触摸IC销售,。 单位注册资金未知。 本公司主营:各类驱动IC,存储IC,传感器IC,触摸IC销售等产品,是一家优秀的电子产品公司,拥有优秀的高中层管理队伍,他们在技术开发、市场营销、金融财务分析等方面拥有丰富的管理经验,选择我们,值得你信赖!