具体的测试条件和估算结果可参考以下标准:
JESD22-A108-AEAJED- 4701-D101②HTOL/ LTOL:高/低温操作生命期试验(High/ Low Temperature Operating Life )
目的: 评估器件在**热和**电压情况下一段时间的耐久力
测试条件: 125℃,1.1VCC, 动态测试
失效机制:电子迁移,氧化层,相互扩散,不稳定性,离子玷污等
参考标准:
125℃条件下1000 小时测试通过IC 可以保证持续使用4 年,2000 小时测试持续使用8年;150℃ 1000小时测试通过保证使用8年,2000小时保证使用28年。
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
MIT-STD-883E Method 1005.8
JESD22-A108-A
二、环境测试项目(Environmental test items)
PRE-CON, THB, HAST, PCT, TCT,模拟ic和数字ic的就业, TST, HTST, Solderability Test,Solder Heat Test
①PRE-CON:预处理测试( Precondition Test )
目的: 模拟IC在使用之前在一定湿度,温度条件下存储的耐久力,也就是IC从生产到使用之间存储的可靠性。
测试流程(Test Flow):
Step 1:超声扫描仪 SAM (Scanning Acoustic Microscopy)
Step 2: 高低温循环(Temperature cycling )-40℃(or lower) ~ 60℃(or higher) for 5 cycles to simulate shipping conditi
Step 3:烘烤( Baking )At minimum 125℃ for 24 hours to remove all moisture from the package
Step 4: 浸泡(Soaking )
P型半导体
在纯净的硅(或锗)晶体内掺入微量的三价元素硼(或铟),因硼原子的外层有三个价电子,当它与周围的硅原子组成共价键结构时,会因缺少一个电子而在晶体中产生一个空穴,掺入多少三价元素的杂质原子,就会产生多少空穴。因此,这种半导体将以空穴导电为其主要导体方式,称为空穴型半导体,简称P型半导体。必须注意的是,数字ic设计工程师笔试,产生空穴的同时并没有产生新的自由电子,但原有的晶体仍会产生少量的电子空穴对。
从以上分析可知,不论是N型半导体还是P型半导体,它们的导电能力是由多子的浓度决定的。可以认为,多子的浓度约等于掺杂原子的浓度,它受温度的影响很小。在一块硅片上采用不同的掺杂工艺,一边形成N型半导体,一边形成P型半导体,则在两种半导体的交界面附近形成PN结;PN结是构成各种半导体器件的基础。
1.PN结的形成
在一块硅或锗的晶片上,采取不同的掺杂工艺,分别形成N型半导体区和P型半导体区。由于N区的多数载流子为电子(即电子浓度高),少子为空穴(空穴浓度低),而P区正相反,多数载流子为空穴(即空穴浓度高),少子为电子(电子浓度低);在P区与N区的交界面两侧,由于浓度的差别,空穴要从浓度高的P区向浓度低的N区扩散,N区的自由电子要向P区扩散,由于浓度的差别而引起的运动称为扩散运动。这样,在P区就留下了一些带负电荷的杂质离子,数字ic工程师 蓝牙,在N区就留下了一些带正电荷的杂质离子,从而形成一个空间电荷区。这个空间电荷区就是PN结。在空间电荷区内,只有不能移动的杂质离子而没有载流子,所以空间电荷区具有很高的电阻率。
数字电路高温老炼测试系统是一种用于数字电路老化筛选的专业试验设备,它可实现在动态老炼过程中对器件进行功能测试。首先概括介绍了可靠性筛选试验、器件高温老炼原理和方法等基础知识,并在阐述数字电路动态功率老炼和在线功能测试基本原理的基础上,越秀区数字ic,对该系统的硬件组成、工作原理、结构特征、技术指标等方面做了介绍。
将重点放在系统软件的开发和设计上。对用户需求和软件设计要求分析后,首先根据系统功能对软件进行总体设计,确定了两个主功能模块:功率老炼模块、功能测试模块和三个辅助模块:工作电压控制模块、测试器件数据库管理模块、结果处理模块,并将主模块细分出若干子功能模块。然后结合设计语言——Delphi的特点,进一步详细论述了各功能模块的设计和软件实现,并给出相应的程序实现界面。 后总结了该系统软件的特点,并提出了软件进一步完善的方案。