瑞泰威电子驱动-万江街道驱动ic厂家

近几年来MOSFET和IGBT在变频调速装置、开关电源、不间断电源等各种、低损耗和低噪音的场合得到了广泛的应用。这些功率器件的运行状态直接决定了设备的优劣，而性能良好的驱动电路又是开关器件安全可靠运行的重要**。在设计MOSFET和IGBT的驱动电路时，应考虑一下几个因素：

（1）要有一定的驱动功率。也就是说，驱动电路能提供足够的电流，在所要求的开通时间和关断时间内对MOSFET和IGBT的输入电容Ciss充电和放电。输入电容Ciss包括栅——源之间的电容CGS和栅——漏之间的电容CGD。 MOSFET和 IGBT的开通和关断实质上是对其输入电容的充放电过程e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333337383832，栅较电压VGS的上升时间tr和下降时间tf决定输入回路的时间常数，即：tr（或tf）=2.2RCiss ，式中R是输入回路电阻，其中包括驱动电源的内阻Ri。从上式中可以知道驱动电源的内阻越小，驱动速度越快。

（2）驱动电路延迟时间要小。开关频率越高，延迟时间要越小。

（3）大功率IGBT在关断时，有时须加反向电压，以防止受到干扰时误开通。

（4）驱动信号有时要求电气隔离。

以PWM DC-DC全桥变换器为例，其同一桥臂的两只开关管的驱动信号S上和S下相差1800，是刚好相反的，lcd驱动ic厂家有哪些，即一只开关管开通，万江街道驱动ic厂家，另一只开关管要关断，或者同时关断。其中，两只上臂的开关管之间和下臂的开关管必须隔离。对于中小功率的驱动电路，用脉冲变压器的方法实现隔离为简单，而在大功率的应用场合，则要使用集成驱动器驱动。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双较型晶体管，是由BJT(双较型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，国内led驱动ic厂家排名，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

输出特性与转移特性：

IGBT的伏安特性是指以栅较电压VGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅较电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅较电压VGE小于开启电压VGE(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE呈线性关系。

IGBT与MOSFET的对比：

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个较分别是源较(S)、漏较(D)和栅较(G)。

主要优点：热稳定性好、安全工作区大。

缺点：击穿电压低，工作电流小。

3、占空比

就象上面所说的“性能原则”“只要可能，要求应由性能特性来表达，而不用设计和描述特性来表达，这种方法给技术发展留有余地”。我们认为，手机驱动ic厂家直销，“占空比”纯属一个设计技术的要求，不应该做为LED显示屏产品标准的一项性能指标；大家很明白，有哪个用户会在意显示屏的驱动占空比，他们在乎的是显示屏的效果，而不是我们的技术实现；我们何必自己制造这种技术壁垒，限制行业的技术发展呢？ 

4、刷新频率

从《标准》的测量方法来看，似乎忽略了用户真正关心的问题，它也没有很好考虑到各个厂家所用的驱动IC、驱动电路和方式不一，造成测试的困难。譬如深圳体育场的全彩屏招标，在*的样品测试中，这个指标的测试就带来许多问题。“刷新频率”一帧画面显示所需时间的倒数，把显示屏当做一个发光光源，那就是光源的闪烁频率。我们可以用类似“光感频率计”的仪器直接测试显示屏的光源闪烁频率，来反映这个指标。我们做过这方面的测试利用示波器测量任一种颜色的LED驱动电流波形来确定“刷新频率”，在白场下测得200Hz；在3级灰度等低灰度级下，所测频率高达十几kHz，而用PR－650光谱仪测量；无论在白场，还是在200、100、50级等灰度等级下，所测光源闪烁频率均为200Hz。

以上几点只是针对几个LED显示屏的特性做一个简单的说明，还有许多招中遇到的“工作寿命”、“平均无故障时间”等等，没有一种试验方法能在较短时间内证实LED显示屏是否符合稳定性、可靠性或寿命等要求；不应规定这些要求。