汽车车载数字气泵-越秀区车载数字-传感ic电子驱动ic

随着集成电路技术的飞速发展，集成电路的测试技术已成为集成电路产业发展重要支撑之一，也是保证集成电路性能、质量的关键手段之一。目前，集成电路测试仪一般价格比较高，但在电子实验室的实验中经常需要测试中、小规模数字IC好坏，数字集成电路的测试又是一项经常性的工作，所以，自己设计一台经济实用的集成电路测试仪是非常必要的。 

研究了国内外集成电路测试技术，汽车车载数字气泵，提出了基于单片机系统的数字IC测试仪的设计，设计包括硬件系统设计和软件系统设计。的重点是硬件系统电路设计。设计包括AT89C52单片机的选择，可编程I/O接口，电源系统、键盘、复位电路，LED显示接口CH451，计算机与单片机串行通信接口MAX232，测试插座接口，上位计算机等。硬件系统各功能单元电路的设计全部采用模块化，每部分电路的选择都经过比较和优化设计，便于以后硬件的升级。 针对单片机电源电路带负载能力的扩流和测试插座接口电路的设计及数字IC测试向量编码方法等方面进行了改进，提高了硬件系统的可靠性，车载aux数字输入，简化了软件编程，并借助EDA技术进行了验证。

为什么老化跟时间有关？

为什么电路速度会随时间原来越慢呢？因为断键是随机发生，需要时间积累。另外，前面提到的断裂的Si-H键是可以自己恢复的，所以基于断键的老化效应都有恢复模式。对于NBTI效应来说，加反向电压就会进恢复模式；对于HCI效应来说，停止使用就进入恢复模式。但是这两种方式都不可能长时间发生，所以总的来说，芯片是会逐渐老化的。

为什么老化跟温度有关？

为什么电路速度跟温度也有影响呢？温度表示宏观物体微观粒子的平均动能。温度越高，电子运动越剧烈，Si?HSi?H键断键几率就大。

为什么加压会加速老化？

为什么加压有影响呢？同样的晶体管，供电电压越高偏移电压越高，偏移电压越高氢原子游离越快，等于压制了自发的恢复效应，自然老化就快了。

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1. 数据准备。

　　对于 CDN 的 Silicon Ensemble而言后端设计所需的数据主要有是Foundry厂提供的标准单元、宏单元和I/O Pad的库文件，它包括物理库、时序库及网表库，分别以.lef、.tlf和.v的形式给出。前端的芯片设计经过综合后生成的门级网表，越秀区车载数字，具有时序约束和时钟定义的脚本文件和由此产生的.gcf约束文件以及定义电源Pad的DEF（DesignExchange Format）文件。(对synopsys 的Astro 而言，经过综合后生成的门级网表，时序约束文件 SDC是一样的，Pad的定义文件--tdf ， .tf 文件 --technology file， Foundry厂提供的标准单元、宏单元和I/OPad的库文件就与FRAM， CELL view， LM view 形式给出(Milkway 参考库 and DB， LIB file)

　　2. 布局规划。

　　主要是标准单元、I/O Pad和宏单元的布局。I/OPad预先给出了位置，而宏单元则根据时序要求进行摆放，标准单元则是给出了一定的区域由工具自动摆放。布局规划后，芯片的大小，车载数字功放芯片选用，Core的面积，Row的形式、电源及地线的Ring和Strip都确定下来了。如果必要在自动放置标准单元和宏单元之后，你可以先做一次PNA(power network analysis）--IR drop and EM .

　　3. Placement -自动放置标准单元。

　　布局规划后，宏单元、I/O Pad的位置和放置标准单元的区域都已确定，这些信息SE（SiliconEnsemble）会通过DEF文件传递给(PhysicalCompiler)，PC根据由综合给出的.DB文件获得网表和时序约束信息进行自动放置标准单元，同时进行时序检查和单元放置优化。如果你用的是PC+Astro那你可用write_milkway， read_milkway 传递数据。